SUM60030E-GE3 n溝道場效應管

更新:2016-4-26 10:56:26      點擊:
  • 產品品牌   Vishay
  • 產品型號   SUM60030E-GE3
  • 產品描述   MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...

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產品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項,可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進行擴展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝,具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應用包括電源、電機驅動器開關、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

最高結溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經 100% Rg 和 UIS 測試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅動進行操作

規格

通道數量:

1 Channel

晶體管極性:

N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:

80 V

Id-連續漏極電流:

120 A

Rds On-漏源導通電阻:

3.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:

+/- 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:

2 V

Qg-柵極電荷:

94 nC

最大工作溫度:

+ 175 C

技術:

Si

封裝:

Reel

通道模式:

Enhancement

配置:

1 N-Channel

下降時間:

14 ns

最小工作溫度:

- 55 C

Pd-功率耗散:

375 W

上升時間:

24 ns

晶體管類型:

N-Channel

典型關閉延遲時間:

34 ns

典型接通延遲時間:

24 ns

單位重量:

2 g

 

 

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